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到目前為止,所有的IGBT設(shè)計(jì)都有一個(gè)共同點(diǎn)平面柵極結(jié)構(gòu)。這種形狀的柵極形成一個(gè)前文所述的JFET結(jié)構(gòu),以及發(fā)射極區(qū)軟弱的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)。對(duì)于平面柵極的IGBT,載流子的濃度從集電極到發(fā)射極之間逐步降低。新一代IGBT.. MORE
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